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Disco duro SSD 2TB M.2 2280 NVMe PCI-e Gen4 x4 Samsung 990 Pro MZ-V9P2T0BW

Disco duro SSD 2TB M.2 2280 NVMe PCI-e Gen4 x4 Samsung 990 Pro MZ-V9P2T0BW

Disco duro SSD 4TB M.2 2280 NVMe PCI-e Gen4 x4 Samsung 990 Pro MZ-V9P4T0CW

Disco duro SSD 4TB M.2 2280 NVMe PCI-e Gen4 x4 Samsung 990 Pro MZ-V9P4T0CW

Disco duro SSD 2TB M.2 2280 NVMe PCI-e Gen4 x4 Samsung 990 Pro (HTS) MZ-V9P2T0GW

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Referencia
MZ-V9P2T0GW

Disco duro SSD 2TB M.2 2280 NVMe PCI-e Gen4 x4 Samsung 990 Pro (HTS) MZ-V9P2T0GW

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Disco duro SSD 2TB M.2 2280 NVMe PCI-e Gen4 x4 Samsung 990 Pro (HTS) MZ-V9P2T0GW


Especificaciones
Especificaciones

Disco duro SSD 2TB M.2 2280 NVMe PCI-e Gen4 x4 Samsung 990 Pro (HTS) MZ-V9P2T0GW

990 PRO PCIe 4.0 M.2 con disipador de calor

Características generales

  • Uso Client PCs, Game Consoles
  • Capacidad 2,000GB (1GB=1 Billion byte by IDEMA) * Actual usable capacity may be less (due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise)
  • Formato M.2 (2280)
  • Interfaz PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
  • Dimensiones 80 x 24.3 x 8.2 mm (with heatsink)
  • Peso Max 28.0g Weight
  • Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 3-bit MLC
  • Controller Samsung in-house Controller
  • Memoria caché Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM

Características especiales

  • Soporte TRIM Supported
  • Soporte S.M.A.R.T Supported
  • GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm
  • Encriptación AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
  • WWN Not supported
  • Soporte Modo Suspensión en dispositivo Sí

Rendimiento

  • Lectura secuencial Hasta 7,450 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Escritura secuencial Hasta 6,900 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Lectura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 1,200,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Escritura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 1,550,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Lectura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 22,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Escritura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 80,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration

Entorno

  • Consumo energético medio *Average: 5.5 W*Maximum: 8.5 W (Burst mode)* Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
  • Consumo energético (Idle) Max. 55 mW * Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
  • Voltaje soportado 3.3 V ± 5 % Allowable voltage
  • Durabilidad (MTBF) 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
  • Temperatura de funcionamiento 0 - 70 ℃ Operating Temperature
  • Golpes 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)

Información GPSR del Producto

Operador Económico Principal